IDM继续主导GaN时代 “国产化”的最大软肋？

尽管产能和成本问题还悬而未决，但GaN如今已然引发了充电市场的迭代热潮。接下来，随着越来越多本土厂商的加入，这场战役的火药味也愈发浓郁。但值得一提的是，在第一代和第二代半导体市场均未能抢得先机的本土企业，又将如何在GaN这类第三代半导体市场争霸战中拔得头筹，也成为开启GaN国产化之门的关键密钥。

北京耐威科技股份有限公司董事长杨云春

北京耐威科技股份有限公司董事长杨云春表示：“在GaN这类第三代半导体上，我们国家的起步实际上并不晚，比如像微波和功率器件等应用领域，很多企业也都在往里进军。不过，其中的代工和产能的确是有门槛，所以真正要做快速迭代的话最好还是要走IDM模式。去年，我们和青岛西海岸也签署了协议开始投资GaN外延材料项目的生产制造，外延片我们采用了国际比较先进的设备，目前良率超过80%-90%。而从功率和微波这两大市场来看，国内的相关企业其实还是有优势的，相信在资本力量和相关政策的支持下，国内在GaN这块能够很快的赶上来。”其实，从过往的历史中可以看到，无论是第一代还是第二代半导体器件，IDM均为最优化的模式。因此第三代半导体领域，IDM模式将继续发光发热，位居主导。

纳微（Navitas）半导体中国区总经理查莹杰

不过，相比国外大厂而言，国内在这个模式上还需要有所突破，这背后必然少不了各类整合性团队的共同协作，有业内人士分析到：“其实现阶段，国内在GaN领域有几个比较大的问题，第一个是产业化能力的问题，如果我们深入去看器件的设计固然重要，但如果脱离了第三代半导体的材料外延和特性，设计公司如果未掌握外延的技术，或者没有掌握整个驱动甚至是封装测试方面的技术，仅仅只是依靠单一的设计，公司其实是很难做大的。在中国，这类整合性的公司还是比较稀缺的。”

对此，查莹杰也颇为赞同，他表示：“其实在Fab和外延这块，实际上目前能够在GaN这类功率半导体领域完全走上大批量量产的并不多，可能也仅有TSMC和XFab在达拉斯的6寸厂，而且目前主要的产能都聚焦在6英寸，可供选择的也不多。不过，目前我们也能看到国内有一些厂商也在走8英寸的路线，如果8英寸的产品后续能够非常成功的被开发出来，而且在良率上可以有很明显的提升的话，实际上我们在外延这部分也就能占据先导的地位，当然这还是需要时间的积累和沉淀。”

另外，应用生态上，除了控制器本身的开发以外，最深层的内容其实还是在拓扑结构的设计上，查莹杰进一步解释到：“实际上，国内目前也有很多务实的高校和实验室，在不断推陈出新的创新架构。另外，在控制器的部分，比如国内的瑞芯微和矽力杰等，都是在电源领域有很多耕耘和积累的半导体厂商，也都在慢慢向TI和ST等企业靠拢。但在GaN的设计环节，我们认为也是国内非常薄弱的环节，直接的体现是纳微半导体虽然注册在美国，但实际上我们主流的技术团队都是中国人，如今也正加速实现本土化。但我们在本土化之路上面临的最大问题就是人才的匮乏，很难招到GaN设计方面的人才，非常稀少。由此可见，我们在这些领域的短板其实还是非常明显的。”

小米科技产业投资部技术总监李志杰

但尽管如此，李志杰对GaN在充电市场“国产化”的未来发展仍抱持乐观态度，他表示：“这个领域当然是有差距，但从我们了解的情况看，国内很多Fab都开始在做GaN的方案。并且国内又有很多像小米这样的产业资本和产业投资，来通过资本进行推动。所以，未来我们应该是可以培育出GaN这样的相关产业链，从而让它快速的成熟起来。”

总之，如今的GaN已经点燃了手机快充市场的“火炬”，蓄势待发。尽管目前产能和成本仍悬而未决，业内仍然需要时间和技术的积淀来带动GaN打破传统硅基市场的顽固堡垒。但编者相信，随着接下来第一波5G换机大潮的带动，GaN有很大几率能够成功“上位”，攫取掉部分传统硅基方案的市场份额。而在这一市场“风口”之下，本土企业虽整体实力偏弱但却稳中有机。毕竟，如今不少国内企业正在加速量产8寸GaN产品，待后续良率以及产能达到预期标准之后，将极大的推进GaN晶圆的“国产化”进程，加之在国内一众智能手机大厂及资本市场的鼎力助推下，本土GaN器件在智能手机快充市场大规模放量之日必将很快到来。届时，半导体“国产化”的史书上，又将添上浓墨重彩的一笔。