赛微电子拟投资10亿建设6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目

赛微电子拟投资10亿建设6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目

4月2日消息，赛微电子发布公告，与青州市人民政府签署了《合作协议》，共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设，将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设，且已经锁定成套热线设备、目标是在2021年内建成并做好投产准备，有利于公司进一步完善GaN业务的全产业链IDM(垂直整合制造)布局。

　　赛微电子表示拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力。