第四代半导体再突破,我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
3 月 14 日消息,IT之家从西安邮电大学官网获悉,日前,西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在 8 英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
团队负责人陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与前代半导体材料相比,氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻,从而能量损耗更低,功率转换效率更高。另外,氧化镓具有良好的化学和热稳定性,成本低,制备方法简便、便于批量生产,在产业化方面优势明显。
近年来,我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展,从去年的 2 英寸到 6 英寸,再到最新的 8 英寸,氧化镓制备技术越来越成熟。
版权声明:网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。侵权投诉邮件,请联系:june@mogul-tech.com
- •瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆2025-07-02
- •Arm 洞察与思考:AI 技术破解创新与环境可持续发展难题2025-07-02
- •瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力2025-07-02
- •Vishay CHA系列通过AEC-Q200认证的薄膜片式电阻现推出0402外壳尺寸2025-07-02
- •大联大世平集团推出以NXP产品为核心的HVBMS BJB方案2025-07-02
- •适用于高速应用的先进全局快门图像传感器2025-07-02
- •摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证2025-06-27
- •第十六届夏季达沃斯论坛举办,安谋科技CEO陈锋受邀分享产业升级与全球协作洞见2025-06-26
- •SiC Combo JFET技术概览与特性2025-06-26
- •罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计, 配备罗姆面向SoC的PMIC,助力智能座…2025-06-25