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LED芯片抗反向静电能力达到3kV
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3kV。来自韩国光技术院(KOPTI)和光州科学技术院的研究人员声称：“这种LED芯片加工简便，可靠性高。”研究人员一直试图提高目前100V-1kV的抗反
2011-07-04 15:39
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3kV。来自韩国光技术院(KOPTI)和光州科学技术院的研究人员声称：“这种LED芯片加工简便，可靠性高。”研究人员一直试图提高目前100V-1kV的抗反
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