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Altera明年将投产14nm 紧追赛灵思16nm量产进度
Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gateTransistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程，生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC
2013-06-13 09:08