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NAND Flash面临挑战 浮动闸极微缩瓶颈
NANDFlash记忆体进入20奈米以下制程节点后，将面临严峻的微缩挑战，因此记忆体制造商已加紧投入新技术研发，期以三维(3D)空间储存格结构或电荷撷取(ChargeTrap)技术，实现小尺寸、高容量、高稳定度且兼顾开发成本的新一代NANDFl
2013-08-05 10:32
NANDFlash记忆体进入20奈米以下制程节点后，将面临严峻的微缩挑战，因此记忆体制造商已加紧投入新技术研发，期以三维(3D)空间储存格结构或电荷撷取(ChargeTrap)技术，实现小尺寸、高容量、高稳定度且兼顾开发成本的新一代NANDFl
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