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中国科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管
记者从中国科学技术大学获悉，该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作，在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。研究成果日前在线发表在
2014-06-18 10:06 -
半浮栅晶体管 产业前景千亿元
如何让未来的电脑、手机、数码相机等电子产品乃至卫星通讯的速度更快、功能更强、功耗更小？这一切都离不开集成电路芯片的核心作用。小小芯片可以搏动整个电子行业的“大动脉”。8月9日出版的最新一期《科学》杂志上，中国科学家的半浮栅晶体管（SFGT）研发
2013-08-13 11:07