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NAND Flash进入10纳米时代
不同于系统半导体、NANDFlash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruplepatterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
2014-07-04 10:11
不同于系统半导体、NANDFlash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruplepatterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
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