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Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900VMOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结
2015-09-07 14:30