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瑞萨电子宣布开发出全球首款鳍状MONOS闪存单元
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社今日宣布成功开发出全球首款(注1)分离闸金属氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16至14纳米(nm)或更细的片上闪存的微控制器(MCU)。SG-
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社今日宣布成功开发出全球首款(注1)分离闸金属氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16至14纳米(nm)或更细的片上闪存的微控制器(MCU)。SG-
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