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Everspin开始生产1Gb STT-MRAM 基于格罗方德28nm工艺
Everspin近日宣布，其已开始试生产最新的1GbSTT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年12月的时候，其已发布了首批预生产样品。新MRAM器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的28nm工艺制造，与当前的40
Everspin近日宣布，其已开始试生产最新的1GbSTT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年12月的时候，其已发布了首批预生产样品。新MRAM器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的28nm工艺制造，与当前的40
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