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Everspin开始生产1Gb STT-MRAM 基于格罗方德28nm工艺
Everspin近日宣布，其已开始试生产最新的1GbSTT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年12月的时候，其已发布了首批预生产样品。新MRAM器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的28nm工艺制造，与当前的40
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Everspin将MRAM容量提升到16Mb 阴霾开始笼罩SRAM
今天最有前途的下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM(利用铁电材料的永久极化特性)、MRAM(利用磁性隧道结的电阻变化来指示存储状态)以及PCM(基于硫系合金的电热诱导相变转换)，三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。
2010-06-25 09:14 -
Everspin推出更高容量MRAM产品MR4A16B
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非
2010-05-20 07:00 -
Everspin科技推出16Mb MRAM
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁产品厂商Everspin科技公司5月14日推出16MbMRAM。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官S
2010-05-17 09:59 -
Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM
Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Sai
2010-05-17 09:08 -
Everspin推出标准封装串行MRAM MR25H
Everspin推出标准封装的串行MRAMMR25H，MR25H非易失性串行MRAM存储器系列包括256KB，512KB和1MB器件。该器件没有写入延迟，时钟速度高达40MHz，本质上具有无限耐用性以及超过20年的数据保存。该IC采用标准SPI
2010-03-15 07:00