Everspin近日宣布，其已开始试生产最新的1GbSTT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年12月的时候，其已发布了首批预生产样品。新MRAM器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的28nm工艺制造，与当前的40

今天最有前途的下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM(利用铁电材料的永久极化特性)、MRAM(利用磁性隧道结的电阻变化来指示存储状态)以及PCM(基于硫系合金的电热诱导相变转换)，三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁产品厂商Everspin科技公司5月14日推出16MbMRAM。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官S

Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Sai

Everspin推出标准封装的串行MRAMMR25H，MR25H非易失性串行MRAM存储器系列包括256KB，512KB和1MB器件。该器件没有写入延迟，时钟速度高达40MHz，本质上具有无限耐用性以及超过20年的数据保存。该IC采用标准SPI