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三星加速开发160层或更高堆叠层数的3D NAND Flash
当前，3DNANDFlash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层，不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。据韩国媒体《ETnews》近日报道，三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大
当前，3DNANDFlash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层，不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。据韩国媒体《ETnews》近日报道，三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大
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