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当前，3DNANDFlash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层，不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。据韩国媒体《ETnews》近日报道，三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大
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在正在举行的国际存储研讨会2018(IMW2018)上，应用材料公司SeanKang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图，到了2021年，3D-NAND的堆叠层数会超过140层，而且每一层的厚度会不断的变薄。身在日本的PCWatch前往了本
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台积电最近可谓是意气风发，第一代7nm工艺已经进入量产阶段，而在不久前的TSMCTechnologySymposium技术会议上，提出了具有革命性意义的工艺技术Wafer-on-Wafer(WoW，堆叠晶圆)，就像是3DNAND闪存多层堆叠一样
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手机厂商们一直在探寻如何在尽可能小的空间内塞入更多的元件和电池，比如今年的iPhoneX在拆解后就成为新的标杆，采用双层主板+双电池设计。据韩国ETNews报道，三星GalaxyS9也换用了新的主板设计，即SLP(stackedlogic，堆叠