台积电宣布WoW堆叠晶圆技术，有望成倍提高核心晶体管数量

　　台积电最近可谓是意气风发，第一代7nm工艺已经进入量产阶段，而在不久前的TSMC Technology Symposium技术会议上，提出了具有革命性意义的工艺技术Wafer-on-Wafer (WoW，堆叠晶圆)，就像是3D NAND闪存多层堆叠一样，将两层Die以镜像方式垂直堆叠起来，有望用于生产显卡GPU，创造出晶体管规模更大GPU。

　　此前台积电已经研发出相类似的技术Chip on Wafer on Substrate(CoWoS)、Integrated Fan-Out (InFO)，这两种技术目前已经应用在多种产品上，比方说英特尔和Xilinx的FPGA芯片应用了CoWos，苹果的A系列SoC应用了InFO。而这一次的WoW最大应用场景将可能在GPU核心上，可以在不增加GPU核心面积或者是使用更小工艺制程下增加晶体管数量，从而提升显卡性能。

　　根据著名EDA大厂Cadence的博客描述，WoW技术通过10μm的硅穿孔方式连接上下两块die，这样一来可以在垂直方向上堆叠更多die，也意味着die之间的延迟通信及大地减少，引入更多地核心。

　　不过目前WoW技术最大问题就是对于工艺要求非常高，die之间要准确无误地对齐，而且确保任何一片die都是没有问题的，否则组装完成后发现其中一个工作不了，整个封装完成的芯片就报废了，因此良品率比较低，生产成本较高。因此在已经非常成熟的16nm工艺上加入WoW是比较妥当，但台积电目标确实在未来的7/5nm上应用。

　　目前Cadence和台积电宣布在Cadence工具中已通过WoW Reference Flow 1.0标准认证。

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