三星加速开发160层或更高堆叠层数的3D NAND Flash

三星加速开发160层或更高堆叠层数的3D NAND Flash

当前，3D NAND Flash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层，不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。

据韩国媒体《ETnews》近日报道，三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大进展。

《ETnews》指出，三星的第7代V-NAND快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的。就现阶段来说，如果完成160层堆叠的V-NAND快闪存储器开发，将成为业界最高堆叠层数的产品。

报导进一步指出，在存储器产业中，这称为3D NAND Flash的快闪存储器，三星则是称为V-NAND快闪存储器。堆叠层数的多少是3D NAND Flash快闪存储器厂商的核心竞争力，而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。

另外，三星在2019年也以166.7亿美元（约20万亿韩元）的营收，在全球3D NAND Flash快闪存储器市场上成为龙头，市占率达到35.9%。

值得一提的是，尽管新冠肺炎疫情爆发，但三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资，其中包括对西安的NAND Flash快闪存储器工厂进行扩产。

除了三星之外，韩国另一个存储器大厂SK Hynix也在2019年宣布了160层或更高层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器开发与生产规划。