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意法半导体推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换
意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个对称的225mΩRDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。作为意法半导体MasterGaN系列的最新
意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个对称的225mΩRDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。作为意法半导体MasterGaN系列的最新
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