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LED中极化效应研究情况介绍方案
据报道，美国伦斯勒理工学院(RPI)、韩国三星LED和浦项科技大学的科研人员正在联合研发多量子阱(MQW)LED,与传统使用GaN半导体材料作为势垒(QB)层不同，在该项目中势垒材料采用的是InGaN(《应用物理快报(APL)》2010年总第1
2012-02-02 11:27
据报道，美国伦斯勒理工学院(RPI)、韩国三星LED和浦项科技大学的科研人员正在联合研发多量子阱(MQW)LED,与传统使用GaN半导体材料作为势垒(QB)层不同，在该项目中势垒材料采用的是InGaN(《应用物理快报(APL)》2010年总第1
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