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三菱化学与中村修二成功运用液相沉积法制造GaN晶体
据来自于日本媒体方面的消息，三菱化学与蓝光LED之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。该晶体直径约2寸，从晶体上切割出的基板可用来生产LED，其耗电量仅有蓝宝石基板LED的三分之一，制造成本也仅为现有气相沉积法氮化镓晶体的
2010-12-09 12:49
据来自于日本媒体方面的消息，三菱化学与蓝光LED之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。该晶体直径约2寸，从晶体上切割出的基板可用来生产LED，其耗电量仅有蓝宝石基板LED的三分之一，制造成本也仅为现有气相沉积法氮化镓晶体的
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