DRAM、Flash产能持续开出

       记忆体封测产能 明年铁吃紧

       十二寸厂量产记忆体的经济规模效益，在二○○四年正式超过八寸厂，○四年至○六年这三年间，全球记忆体厂资本支出已出现快速膨胀趋势，明年看来仍会再持续增加。但是上游记忆体厂砸下重资建厂扩产，下游封测厂这三年内虽也大扩产能，但却追不上上游产能开出速度，所以包括力成、南茂、联测等业者均认为，明年记忆体封测产能吃紧一年，已是无可避免之事。

       二千年全球对Y2K电脑换机潮需求充满期待，当年DRAM价格也出现强劲上涨走势，但○一年后需求泡沫破灭，当年DRAM价格出现崩跌走势，DRAM厂元气大伤，○一年至○三年DRAM厂的资本支出急冻，单年资本支出连百亿美元都不到。不过○四年底NAND快闪记忆体需求出现爆炸性成长，配合十二寸厂的经济规模效益开始发酵，全球记忆体厂兴建十二寸厂风潮再起，记忆体厂资本支出已连三年快速扬升，全球总投资金额由○三年的七十亿美元，成长至今年的二百二十亿美元，扩增幅度高达三倍。

       然看好明年微软新作业系统Vista即将上市，将引爆DRAM及NAND需求，全球记忆体厂相继释出明年将再扩大资本支出消息，包括东芝、三星、海力士、华亚科、力晶、德等，明年都会有新的十二寸厂投入量产，全球总投资金额可能一举跃上二百六十亿美元历史高峰，较今年增加近二○％。只是上游记忆体厂资本支出大扩，下游封装测试厂虽也同步扩大投资，但产能仍然不足因应上游客户需求。

       以力成为例，今年资本支出扩大至一百亿元，明年首季DRAM封装月产能达六千六百万颗，NAND快闪记忆体封装月产能达二千三百万颗，测试机台合计达二百台，但顶多只能支援二座四万片月产能的十二寸厂后段封测需求。由于明年光是台湾地区，就有华亚科、力晶、茂德等三座新十二寸厂产能又要开出，年底合计月产能上看十万片，就算力成明年资本支出拉高至一百亿元，后段产能还是不足。

       力成董事长蔡笃恭就指出，明年上半年DRAM厂的产能还是持续增加，NAND产出增加速度及幅度将更大，其中记忆卡市场需求正进入爆炸性成长期，现在又需要用到基板连结封装（COB）、堆叠封装（Stack）等高阶封测制程，所以明年还会是记忆体封测市场的大好年。

       来源：中国IC交易网