南科明年跨足快闪记忆体

南科明年跨足快闪记忆体

       南科总经理连日昌昨（九）日指出，南科首座十二寸厂（三A）会在明年底前达到满载六万二千片的月产出，届时，南科全球市占率超过一成，且将正式跨足NAND快闪记忆体市场，不排除对外寻求合作，但目前还没有对象。至于第二座十二寸厂（三B）会在今年下半就动土。
       连日昌认为，今年整体市场景气起伏很大，PC内建记忆体模组的主流规格会从去年的一G，提高到一．四G至一．五G，加上PC的年复合成长率大约在一成上下，因此推估今年DRAM市场的年成长率会达到六成。
       南科资深副总经理陈宏谟进一步表示，今年前三月DRAM价格的跌幅到达三成，而VISTA效应至今都未能刺激市场买气。展望第二季，他认为原本就属传统淡季，因此不会太好，预计得等到第三季PC买气时才会回春。
       另外，DRAM价格二月下跌速度最快，到了本月份，虽然跌价压力还是很大，但预期三月下旬跌势可望趋缓，而今年的三、四月应是产业的谷底。
       近年来南科多次表示，待全球市占率能超过一成时，便会进军NAND快闪记忆体市场，只是究竟何时市占能达到目标，南科多年来总未有时间表，但今年终于明朗化了，连日昌表示，虽然目前NAND快记忆体价格差，产能又多，但南科还是会在DRAM脚步站稳后切进去，且不排除未来与其他厂商合作，时间点预计是明年底三A厂满载产出，且全球市占超过一成的时候。
       南科的三A厂，今年五月移入设备，七月试产，九月量产，第一阶段月产三万片，明年第二季六万片，以九○奈米试产七○奈米量产，而三B的厂房也提前在下半年动土，明年下半会盖好，并以七○奈米试产，六○奈米以下制程量产；另外，林口新厂足够兴建四座月产能六万片的厂房。而面对南科后续是否有到大陆设厂的想法，连日昌认为大陆无显著的成本效益，反观台湾半导体产业群聚效益很显著，因此不需要去。
       陈宏谟指出，南科今年首季产出比去年第四季成长一五％，第二季又会比第一季成长超过一成，全年产出比去年成长五成，到了○八年产出又会比○七年成长超过八成，至于今年的资本支出为新台币六百亿元，明年三百一十五亿元。
       南科副总经理白培霖则表示，二月平均报价大跌二一％，估三月合约价会比二月下跌一三％至一五％，但法人圈则估算南科首季每股获利将超过一元。