MoSys扩展与中芯国际的晶圆代工合作协议

       知识产权(IP)公司MoSys表示，扩展了与中芯国际(SMIC)之间的现有协议，纳入了MoSys的新型高密度嵌入式快闪记忆体IP。但具体的财务细节没有披露。根据协议，美国MoSys和中芯国际将利用中芯国际的制造制程合作生产MoSys的1T-FLASH。MoSys公司表示，1T-FLASH是高密度NOR快闪记忆体的替代品，正采用中芯国际的纯逻辑CMOS制程来实现。
       MoSys公司表示，与目前一代的解决方案相较，它的1T-FLASH可以为行动设备开发商和嵌入式微控制器开发商带来巨大的成本优势。
       MoSys公司的总裁兼执行长Chet Silvestri在声明中表示，“透过与中芯国际合作，我们能够为希望整合大量高性能快闪记忆体的SoC设计者提供非常有吸引力的解决方案。”