NAND缺货 台湾DRAM厂 沾不了光

     快闪记忆体（Flash）近期出现缺货效应，短短两个交易日，现货价格飙涨超过三成，相较于DRAM今年以来跌幅超过四成，Flash的春天明显提早来临。
          
     目前台湾DRAM厂，已起步投入Flash的生产，但营运上仍受制于DRAM景气的回档修正；反观南韩三星、海力士，在DRAM、Flash产能可视市场状况随时调配下，营运前景远比国内厂商乐观。
    
     三星目前是全球最大DRAM及Flash制造厂商，海力士则是全球DRAM第二大厂、Flash第三大厂，三星去年第四季DRAM、Flash产能比重约4比6，海力士则约5比5。
          
     今年以来，DRAM价格跌幅超过四成，现货价更跌破2.5美元，部分DRAM厂第一季已提前见到营运亏损，包括尔必达、力晶、南科、华亚科均不敢断言第二季还能维持获利。
          
     反观三星、海力士，尽管DRAM不景气，价格大幅滑落，但近期Flash市况好转，势必增加Flash产出比重、降低DRAM产能，以维持获利，展现十足的产能调配优势。
          
     去年起，台湾DRAM厂已相继投入Flash的研发生产，其中力晶从日本瑞萨（Renesas）技转1Gb至4Gb规格技术，并买下旺宏12寸厂，做为量产的大本营。
          
     茂德已具有1GB Flash的生产技术，去年底再导入4Gb、8Gb的NAND Flash生产。茂德规划，在中科五、六厂以60奈米以下制程导入生产16到64Gb的NAND Flash，投资金额预计超过50亿美元，第一阶段建厂计画预计明年动工。
          
     只是目前市场主流规格以8G、16G为主，台湾DRAM 厂尚无法量产高阶容量的Flash，对于这波Flash飙涨，也只有「乾瞪眼」的份了。