日本DRAM在“尖端技术战略”败走麦城带来的启示

       上个世纪80年代凭借DRAM而所向披靡的日本半导体厂商，进入90年代后却走上了穷途末路。在继DRAM之后的SoC（system on a chip）领域，乃至在半导体以外的领域中，日本电子设备厂商的国际竞争力均日渐衰落。人们开始探索DRAM的“败因”，从而揭示日本电子设备产业存在的本质性问题,。
       然而，近期发行的《日经微器件》杂志2007年3月号刊登的文章“探求日本DRAM在全球市场上败北的根本原因（1）”，又提出了一个迄今为止的争论中所没有的新观点：日本厂商在应用先端技术的技术战略方面败给了海外厂商。
       笔者此前在为本栏目所写的文章中一直认为，DRAM的败因在于：日本厂商的经营战略、过度的品质体制以及技术战略方面降低成本的技术上存在问题。然而，读了将失败归于“尖端技术战略”的文章后，一种复杂的情绪涌上心头：这次终于击中“要害”了。
       这篇文章的2位作者是,日本一桥大学创新性研究中心教授中马宏之、与日本文部科学省科学技术政策研究所客座研究员桥本哲一。作为社会科学家的中马与作为自然科学家的桥本携手合作，用2年的时间，从技术与市场两个方面阐明了每一代DRAM量产产品的技术内容以及当时各厂商的技战略。
       三星打破“惯例”投产128MBit产品
       文章精辟地阐述了“HSG（hemispherical grain）膜”（使用半球状多晶硅增加表面积的技术）以及“CMP（chemical-mechanical polishing，通过化学性机械研磨的磨平技术）”等新工艺技术是如何引进到各厂商的各种量产产品中的。例如，韩国三星电子（Samsung Electronics）在IT业开始出现泡沫的2000年，在64MBit产品即将迎来生产高峰的背景下，打破每一代容量增至以前的4倍的老惯例，投产了128MBit产品。该公司断定，比起256MBit产品，PC市场上更欢迎128MBit产品。
       三星最优先考虑的是如何抢先一步满足市场的需求，因此采用了老工艺，首先生产出新一代产品。其采取的战略是：尽管芯片面积会因此而变大，但可以在以后正式量产时导入新一代工艺，来缩小芯片面积。这种战略的实施步骤是：（1）在64MBit的初期量产产品中应用HSG膜，制造出芯片面积较小的缩小版产品，（2）将64MBit产品工艺技术与HSG膜工序组合在一起，制造最初的128MBit量产产品，（3）在这种128MBit初期量产产品中应用CMP技术来缩小芯片面积。在这篇文章中，使用芯片截面的SEM（扫描式电子显微镜）图像等，阐述了上述每一代初期量产产品以及正式量产产品中采用了何种工艺技术。
       读到这一段，令笔者叹服的是，三星以及美国美光科技（Micron Technology）等海外厂商适应市场需求导入新技术的手段之高超。例如，上述厂商早已预料到，先期投放市场的较大容量DRAM，即便芯片多少有些大，用户也会接受。这样抢先获得利润，随后等其他公司也加入进来，开始正式量产时，再稳健地逐步导入新技术。而且，这些新技术也并非自己公司开发的，而是从其他公司导入的。顺便提一下，开发出HSG膜的是日本厂商。
      “欠缺的是‘知识应用能力\’”
       同样通过尽早投放大容量DRAM展开竞争的某日本厂商，虽然在新工艺技术的开发上走在了前面，但却固守“每一代的容量增至以前4倍”的惯例，没有投产128MBit产品。优先考虑的是“惯例”，而不是市场需求。这篇文章指出了日本厂商的以下败因（p.47）。
       在市场竞争中败北的日本LSI厂商所欠缺的是：灵活运用所开发技术（知识创造能力）的产品战略（知识运用能力），以及实现这些所必需的部门间信息共享化机制。时至今日，这些依然是日本LSI厂商必须正视并解决的难题。
       笔者认为，在刚才提到的“知识创造能力”与“知识运用能力”之间，存在着本栏目上一次的一篇文章中所说的“死亡之谷”。也就是说，日本厂商在跨越“死亡之谷”的能力、即创新能力方面，曾经（现在也？）比外国厂商相形见绌。