IR推出D类音频DirectFET™ MOSFET

IR推出D类音频DirectFET™ MOSFET

     (华强电子世界网讯) 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。
    
    　　在针对应用专门优化的硅片上，IR的DirectFET™封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100W功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。
    
    　　决定D类音频性能的重要MOSFET参数包括器件导通电阻RDS(on)和栅电荷Qg，这两者决定放大器效率。