面记录密度达硬盘一半的NAND型闪存

面记录密度达硬盘一半的NAND型闪存

     （华强电子世界网讯） 在单一存储LSI中，全球容量最大的8Gbit NAND型闪存EEPROM的有关细节将在“ISSCC 2005”上发布。发布者包括东芝与美国SanDisk的联合开发小组，以及韩国三星电子。将发布的均为封装在大约1.2cm见方的芯片上的产品，以面记录密度换算，达现有硬盘的一半左右。如果记录密度就这样以每年2倍的速度提高的话，那么2年内便可超过年增长率为1.3倍的硬盘。
    
    　　东芝与Sandisk公司通过最小加工尺寸为70nm的CMOS技术和2bit/单元的多值技术相配合，在146mm2的芯片上实现了8Gbit的容量。写入时的数据传输速度为6MB/秒。东芝计划2005年量产该NAND型闪存EEPROM。
    
    　　三星开发的8Gbit产品采用最小加工尺寸为63nm的CMOS技术生产。也采用了2bit/单元的多值技术。芯片尺寸为133mm2，比东芝的产品小一成。单元面积为0.02μm2。数据传输速度方面，写入时为4.4MB/秒，读取时为23MB/秒。两产品均将存取周期从50ns缩短到了30ns、提高了速度。