东芝强化NAND Flash生产，3年内设备投资1兆200亿日圆

     （华强电子世界网讯）东芝半导体事业2006年度开始之3年内设备投资将达11兆200亿日圆。2006年度单年亦达历年最高之3540亿日圆，其中约72%，2550亿日圆投入以NAND Flash为中心之内存事业的扩厂与导入最新生产设备。
    
     然根据负责东芝内存事业之执行役常务齐藤升三之演讲内容，似乎感受到该投资计划乃以一些不确定假设为基础所拟定。首先，不可否认东芝对NAND Flash的需求预测有过于乐观之嫌，2005-2008年度全球市场平均年成长率预测成长率可达49%；且东芝本身以超过市场成长率之每年60%为基准，预估销售金额之增加。而依据携带式音乐播放机、数字相机之预估出货量，推估配备NAND Flash容量，预测市场需求成长之方式，亦颇具争议性。
    
     大容量NAND Flash价格下降，可带动需求增加。齐藤升三表示，市场预估乃以一年后同样价格可买到2倍容量之记忆卡的降价幅度预估。然齐藤升三所述价格趋势之配合生产成本，必须在一年内达到芯片面积减半的设备世代交替。东芝NAND Flash目前主要以70奈米制程生产，但已订定今年内转换至56奈米、2008年出转换至40奈米级、2009年转换至30奈米级之升级计划。但是依据上述制程转换计划并无法在一年后达到芯片面积减半的目标。因此，东芝虽订下积极之投资计划，然NAND Flash事业发展能否如预期，似乎仍存在许多变量。
    
    
    

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