NAND产能竞赛　IM Flash摩拳擦掌

     （华强电子世界网讯）来自市场分析师的消息指出，由英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的NAND闪存(Flash)公司IM Flash，将在不久之后兴建一座300mm (12吋)晶圆新厂，以跟上竞争对手的脚步。
    
     Micron目前正利用其在美国爱达荷州Boise的工厂，向IM Flash供应NAND闪存。美光在维吉尼亚州Manassas的300mm工厂将在今年稍晚的时候投产，届时也将向IM Flash供应NAND闪存。而其位于犹他州Lehi的300mm工厂，将专门用于满足IM Flash的需求，并作为IM Flash的总部。预计该工厂将于明年初开始生产NAND闪存。
    
     而据American Technology Research分析师Doug Freedman的讯息，另有一座酝酿多时的工厂即将成为IM Flash的第三座工厂。Freedman表示：「我们预期有关该座IM Flash新厂厂址的声明，将在未来3~4个月内发表。」
    
     Freedman表示，Micron Manassas工厂的周产量将上升到2万5,000片晶圆，而Lehi工厂的产能将达到每周5万片晶圆。但是IM Flash仍然需要继续扩大产能，并且具备充分的理由──三星(Samsung)和Toshiba-SanDisk等对手都在扩大产能。
    
     「IM Flash已经证明该公司在技术上的能力与冲劲，但因为Micron与Intel各有庞大的NAND　Flash产能消耗量，缺乏产能对IM Flash来说会是未来发展上的一大风险。」另一市调机构Gartner Dataquest 的分析师Joseph Unsworth表示；而该机构预测IM Flash会在今年底宣布增加至少一座晶圆厂，以应付产能需求。
    
     而尽管新晶圆厂的兴建与否还是未知数，Intel与Micron在NAND Flash产品的发表上持续动作积极。Freedman指出：「Micron已量产90奈米MLC，其72奈米MLC也处于样品阶段，并预计2006年底到2007年初会大量出货。」此外这两家公司在上个月才发表了共同研发的50nm制程4Gbit NAND Flash样品，该组件由IM Flash制造，采用铜制程化学机械研磨(CMP)技术，与氧化矽CMP制程技术互别苗头。(参考连结)
    
     而其对手三星也不是省油的灯，该公司不久前才宣布量产采用60nm制程的8Gbit NAND Flash内存产品。
    
    
    
    

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