美光推出0.11微米工艺1Gbit DDR内存

     （华强电子世界网讯） 据外电报道：目前，Micron公司展出了业界第一款以0.11微米（110纳米）工艺生产的1 Gbit DDR内存。
    
     该1Gbit DDR将首先被用于针对服务器应用的4GB DIMM中。为了达到4GB，人们将需要在DIMM上面配置32 (4×8)或36 (4×9)块1 Gbit芯片。
    
     Micron公司称0.11微米工艺为“业界内最先进的加工技术，”他们的这种说法也许是正确的，因为英特尔、AMD和其它厂商目前还仍在使用130纳米的技术。Micron似乎只是把130纳米技术改进到110纳米作为一个中间步骤。
    
     英特尔计划于2003年推出90纳米的技术。Micron希望想凭借该新的工艺技术继续保持其在内存行业的龙头厂商地位。
    
     Micron不仅要使用该技术生产1Gbit DDR，它还将利用它以更低廉的成本生产更多的标准产品，例如256Mbit DDR。8GB模块似乎已经开始在业界出售了，但Micron生产的小型芯片肯定会成为更精致的解决方案。