MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T-SRAM存储器的硅验证

MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T-SRAM存储器的硅验证

     (华强电子世界网讯) 业界领先的高密度SoC 植入存储器解决方案提供商MoSys和中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）共同宣布，MoSys在中芯国际的0.18微米标准逻辑工艺中，已完成1T-SRAM存储器技术的硅验证。该制造里程碑的奠定，使中芯国际客户可以更有信心地选择MoSys的1T-SRAM技术，在同一芯片上达到高存储密度和逻辑的系统级的整合，以满足他们对系统级芯片（SoC）设计的存储要求。
    
     MoSys的1T-SRAM专利技术汇集了其他存储技术无法比拟的优点，包括高密度、低功耗、高速度和低成本。即使使用在同一标准逻辑工艺中， 一个1T-SRAM存储器晶体管的密度远高于四个至六个传统的SRAM晶体管的密度。1T-SRAM技术可提供类似于传统SRAM所熟悉之无须刷新的界面和任意地址访问周期的高性能，同时，还降低4倍的操作功耗，为系统级芯片设计植入更大容量的存储器创造了理想的条件。得到MoSys授权的多家公司已经在50,000,000多片芯片上采用了1T-SRAM植入技术。