东芝与英飞凌开发出32Mb的FRAM

东芝与英飞凌开发出32Mb的FRAM

     （华强电子世界网讯） 东芝公司在最近举行的国际固态电路会议(ISSCC)上宣布，该公司与英飞凌公司的一个合作开发项目已经开发出了32Mb的铁电存储器(FRAM)，并称这是目前密度最高的FRAM。
    
     该FRAM芯片采用了一种“链式单元结构”将存储单元连接起来。每一个存储单元有并连在一起的一个铁电容和一个场效应晶体管，而传统的FRAM存储单元结构采用串联方式。
    
     该32兆位的FRAM采用0.2微米工艺在96平方毫米的裸片上制造，存储单元的尺寸为1.875平方微米。东芝公司宣称其裸片尺寸只有同样密度的FRAM的一半，芯片控制器所占的面积也仅为裸片尺寸的35%，是同类FRAM中最少的。