英特尔明年量产90nm产品

     (华强电子世界网讯) 英特尔公司近日公布了多项突破性技术，这些技术集成到业界最先进的半导体制造工艺——90纳米(nm)工艺中，并将于明年用于批量制造300mm晶圆。
    
     新型90nm工艺中采用了多种特殊的技术，包括栅极长度仅为50nm的晶体管、应变硅、高速铜互连以及新型低K绝缘材料。这是第一次将所有这些技术都集成到同一制造工艺中。
    
     英特尔公司高级副总裁兼技术与生产部总经理Sunlin Chou博士说：“当别人还刚刚开始在200mm晶圆上采用130nm（0.13微米）工艺时，我们已经率先将90nm技术专门用于300mm晶圆。这一结合将使英特尔制造出更好的产品，同时也降低了制造成本。”