TI规划光刻蓝图，选择157纳米和EPL光刻技术

TI规划光刻蓝图，选择157纳米和EPL光刻技术

     （华强电子世界网讯） 德州仪器公司光刻对外研究部经理Shane Palmer透露，TI已规划出光刻技术发展趋势路线，该路线并不取决于能否在这个十年以内获得EUV扫描仪。
    
     Palmer在刚举行的国际EUV论坛上接受采访时表示，EUV产品开发较现实的时间表是在2007年推出beta版工具，而2009或2010年商用系统可问世。TI将不遗余力地支持EUV项目，计划把开发工作放在纽约州首府Albany国际Sematech中心展开，进行光刻涂层测试，并对掩模和污染控制等问题进行研究。
    
     但是，与英特尔的MPU情况不一样，TI的芯片设计相对来说，很少能维持长期生产。因此TI对EUV 的掩模成本比较敏感。据称，每个掩模的费用逾十万美元。TI预计将在2005-2010年内采用ASML提供的157纳米扫描仪和尼康公司的发射电子束光刻(EPL)设备，用于连接、过孔等。Palmer担心EUV系统反射镜头的污染和激光源的散热问题，可能会导致高额运作成本。
    
     据估，单个EUV扫描仪的价格在5000万-6000万之间，比预计2005年上市的157纳米扫描仪稍贵一些。TI已经向ASML订购了三台157纳米扫描仪，要求约两年内交货，用于65纳米器件的开发和先期生产。而EPL的标价也高达2500万-3000万美元。