美光和Hynix押宝DRAM

来源:国际电子商情 作者: 时间:2003-03-28 17:19

     (华强电子世界网讯) 随着市场状况越来越糟糕,各厂商都在突出业务重点和重申对核心业务的重视。美国美光(Micron Technology)和韩国Hynix Semiconductor的举动显示,至少在DRAM领域出现了上述趋势。
    
     这两家内存厂商本月采取了一系列措施,以加强其核心业务。美光退出了SRAM和三重内容寻址内存(TCAM)市场,以便集中精力从事DRAM业务;Hynix宣布将向旗下一家工厂投资,这家工厂事关其在DRAM领域的竞争力。
    
     退出SRAM和TCAM领域后,美光将专注于DRAM、闪存,以及RLDRAM和CellularRAM等专用DRAM。
    
     而Hynix则宣布将向其在美国俄勒冈州的一家工厂投入一笔巨资。它将投资1亿美元,将该工厂升级到0.13微米工艺。Hynix称,0.13微米是其主要芯片制造工艺。
    
     美光和Hynix的市场份额缩小,而且其财务状况仍面临困难。2002年这两家公司在DRAM市场的份额输给三星电子和德国的英飞凌(Infineon Technologies AG)。
    
     但是,它们的上述举措也具有一些风险。DRAM价格下跌正在给它们的财务带来压力。而且,Hynix在俄勒冈州的工厂与其在韩国的工厂相比,效率不高,但成本却高得多。市场预计,美光和Hynix计划向0.11微米和0.13微米工艺过渡,这对于它们夺回市场和恢复盈利将比较关键。
    
     虽然iSuppli无法预测它们所采取的措施是否有助于使其在未来增强竞争力和提高盈利水平,但它们将宝押在核心业务上的做法在目前似乎是正确的选择。
    

(编辑 林帆)

    
    

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