摩托罗拉明年推磁内存 主攻目标非PC市场
来源:华强电子世界网 作者: 时间:2002-11-19 17:38
(华强电子世界网讯) 摩托罗拉半导体部门(SPS)总裁Fred Shlapak日前表示,摩托罗拉计划于2003年底发布嵌入式磁电阻式RAM(MRAM)产品,其样品同期即可出货。
据了解,目前摩托罗拉、IBM与Infineon都在开发MRAM产品。高密度非挥发性的MRAM,是将来可望替换闪存的明星产品。不过,Shlapak表示,摩托罗拉的目标并不是推动MRAM取代闪存或DRAM,而是将专注于嵌入式内存领域。
此外,Shlapak还表示,摩托罗拉SPS将持续缩减营运成本策略,除增加产能外包幅度外,还将与合作伙伴意法半导体与飞利浦半导体(Philips Semiconductors)分担技术开发工作。摩托罗拉与它们在未来1年半的时间里,将完成MRAM相关技术开发。Shlapak强调,虽与意法、飞利浦共同分担研发工作及结果,然最终它们仍将各自推出产品,在市场上竞争。
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