摩托罗拉明年推磁内存 主攻目标非PC市场

     (华强电子世界网讯) 摩托罗拉半导体部门（SPS）总裁Fred Shlapak日前表示，摩托罗拉计划于2003年底发布嵌入式磁电阻式RAM（MRAM）产品，其样品同期即可出货。
    
     据了解，目前摩托罗拉、IBM与Infineon都在开发MRAM产品。高密度非挥发性的MRAM，是将来可望替换闪存的明星产品。不过，Shlapak表示，摩托罗拉的目标并不是推动MRAM取代闪存或DRAM，而是将专注于嵌入式内存领域。
    
     此外，Shlapak还表示，摩托罗拉SPS将持续缩减营运成本策略，除增加产能外包幅度外，还将与合作伙伴意法半导体与飞利浦半导体（Philips Semiconductors）分担技术开发工作。摩托罗拉与它们在未来1年半的时间里，将完成MRAM相关技术开发。Shlapak强调，虽与意法、飞利浦共同分担研发工作及结果，然最终它们仍将各自推出产品，在市场上竞争。