韩三星开发出新一代超高速存储器芯片

韩三星开发出新一代超高速存储器芯片

     （华强电子世界网讯） 韩国三星电子公司最近成功开发新一代超高速存储器芯片“ＸＤＲ ＤＲＡＭ”，并将投入批量生产。
    
     据《韩国经济新闻》报道，这款芯片是目前动态随机存储器（ＤＲＡＭ）芯片中速度最快的。它的运算速度达到每秒３．２千兆位（Ｇｂｐｓ）
    ，即一个芯片每秒可以传送１万本３００页厚的书的全部内容。与同类普通超高速半导体芯片相比，“ＸＤＲ ＤＲＡＭ”芯片的运算速度要快４倍。
    
     三星电子公司的“ＸＤＲ ＤＲＡＭ”新一代芯片采用了单系统线路，既具有新一代超高速存储器芯片的技术特点，又能降低生产成本。三星电子公司计划在今年年底将这款芯片投入批量生产。