三星闪存产能提高1倍 90纳米NAND开始出货
来源:ChinaByte 作者: 时间:2004-04-03 18:28
(华强电子世界网讯) 4月2日消息 三星电子为扩大在闪存的领先地位,计划提高产能1倍。另外,采用90纳米制程的NAND型闪存已开始出货。
美国子公司三星半导体行销副总TomQuinn表示,三星已推出采用90纳米制程的2GBNAND产品。公司也将扩充闪存整体产能,以因应数码相机、手机等对此的需求。三星预估,今年NAND位元出货将大幅增长180-200%,而且目前的缺货状况将延续到今年第3季。
Quinn表示:“闪存今年景气大好,我们正在提高其产能。”他表示,公司计划将位元出货数提升1倍。三星为满足DRAM和闪存产品的旺盛需求,已扩充位于韩国华城12吋晶圆厂的产能。
在DRAM业务方面,三星也将增加0.10微米的SDRAM产能,特别是DDR2,也在12吋厂生产。
今年三星的半导体资本支出预期达到59亿美元,高于2003年的51.4亿和2002年的31亿。但内存支出预期由去年的32.4亿美元降至13亿,LCD支出则由14.7亿美元增至23亿。
虽然减少内存资本支出,但三星预期将维持DRAM和闪存市场的领先地位。三星2003年闪存营收达22亿美元,市占率19.5%,超越英特尔,跃居第一。
面对三星霸业兴隆,其他半导体大厂不会坐视。东芝已准备推出90纳米闪存。英特尔也矢言夺回失去的市场,公司已重整管理团队,兴建新的生产线,并订定今年闪存产能增长3倍的计划。其他像Hynix、英飞凌和STMicroelectronics也进入市场,使得供需情况出现变化。分析师预测,2005年因位元出货增长120%,供给将超过需求达3%。
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