德国英飞凌推出512Mbit快闪芯片

德国英飞凌推出512Mbit快闪芯片

     (华强电子世界网讯) 德国英飞凌于当地时间1月7日推出基于TwinFlash技术的512Mbit NAND快闪芯片。该产品是由该公司和以色列芯片厂商Saifun Semiconductors的合资公司Infineon Technologies Flash共同开发的。初期阶段是在德国Dresden Infineon的DRAM制造设施中制造的。
    
    　　“通过制造快闪存贮器，英飞凌大幅扩充了存贮产品的范围。由于采用了TwinFlash技术，因此可利用现有的用来制造DRAM的设备制造快闪芯片，因此无须投资于制造设施便得以参加新市场”（英飞凌存贮产品事业集团首席执行官Harald Eggers）。
    
    　　TwinFlash技术是利用Saifun的NROM技术实现的。与在单一的晶体管单元拥有1bit浮游门电路的技术相比，利用该技术可缩小40％的尺寸。该公司计划将来使该产品的存储容量扩大到2千兆级。
    
    　　美国Gartner的Dataquest称，2004年全球的NAND快闪存贮器市场将从2003年的33亿6000万美元增加到44亿美元规模，将增加30.8％。英飞凌计划在2007年之前跻身该市场的前3名。
    
    　　512Mbit快闪芯片将用TSOP封装后提供。该产品将瞄准数码相机和掌上电脑中使用的SD、MMC、小型快闪卡以及记忆棒等市场。另外还将用做PC、笔记本电脑以及USB光驱等交换数据用的USB Memory Flash Drive的存储介质。由于NAND快闪芯片可实现高速数据传输，因此可实时记录和播放声音以及视频。