三星再握闪存主权 4Gbit 闪存即将发布

三星再握闪存主权 4Gbit 闪存即将发布

     (华强电子世界网独家报道) 三星巨额投资NAND闪存生产线时，业内人士曾预测，NAND闪存供需恢复平衡可能会从2004年春提前至2003年年底，但由于消费性产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量只增未减，市场缺货可能要持续到2004年上半年。
    
     三星在对调旗下DRAM和NAND闪存最新进程顺位后，日前在“ISSCC 2004”国际半导体会议上宣布，即将发布通过采用2bit/单元的多值技术和最小加工工艺90nm制造技术实现的4Gbit NAND型闪存EEPROM。
    
     据悉，4Gbit NAND型闪存EEPROM作为单一存储LSI，容量为目前全球最大。写入时的数据传输速度为1.6MB/秒。工作电压为+3.3V。通过将行解码电路配置于存储单元阵列的中间部位，缩短了字线上升时间，降低了耦合噪音（Couple Noise）。
    
     三星此次发表的NAND型闪存EEPROM的特点是能够用同一芯片（掩膜）实现大容量版（2bit/单元）和高速写入版（1bit/单元）两种规格的产品。可以用引信或垫板耦合开关（Pad Bonding Switch）切换成容量2Gbit（1bit/单元）的高速写入式NAND型闪存EEPROM。此时写入速度为7MB/秒。