英飞凌加大在国内投资 拟转让功率模块生产技术

英飞凌加大在国内投资 拟转让功率模块生产技术

     （华强电子世界网讯） 英飞凌科技(Infineon)公司日前在PCIM China(电子功率器件、智能传送、电源质量国际研讨会与博览会)上展示了全方位的电源管理产品和供应解决方案，其中包括两款获得“德国工业最佳技术创新奖”的高压MOSFET(CoolMOS)以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品。
    
     英飞凌称，CoolMOS半导体产品可为电源系统开辟全新的应用途径，比如用在PC、便携式计算机以及移动应用电池充电器里的电源。而IGBT产品家族可为家用电器、空调系统和工业应用中使用的电动机传动装置创造新概念。这些获奖电力半导体产品可精确、可靠地调节传输至电气产品的能量。CoolMOS的导通电阻(RdsON)低，可大幅降低功耗。采用这种电力半导体的家用电器可使能量消耗降低30%。
    
     英飞凌还展示了另外一项技术，即碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)。这种二极管利用新型半导体材料制成，据称是速度最快的高压肖特基二极管，而且解决了二极管的恢复时间问题，是300-600V领域的行业标准。与采用硅或砷化镓技术的传统功率二极管相比，SiC肖特基二极管可大幅降低开关损耗并提高开关频率，同时可带来比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围。
    
     英飞凌亚太区营销、汽车和工业部副总裁Andrew Chong表示：“英飞凌致力于在中国市场发展。我们坚信我们的技术创新和性价比将给本地厂商带来灵活性和成本效益，这正是他们面临全球竞争时增强自身竞争力所需的。”
    
     英飞凌目前在中国无锡设有一家以二极管产品为主的生产厂，英飞凌称，它将经一步加大功率半导体产品生产方面的在华投资，而向一家中国公司转移功率模块生产技术的洽谈也正在进行中。
    
     IMS Research发表的中国电源市场报告显示，中国信息技术以及其它工业设备制造业的迅速发展可望在2002到2003年推动中国电力电子组件市场以12%的幅度增长。