中芯国际将使用SAIFUNNROM(R)开发闪存卡

来源:中电网 作者: 时间:2006-01-06 17:44

     (华强电子世界网讯) 中芯国际于近日宣布,公司已经于以色列赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)达成协议,根据此协议,中芯国际将使用SAIFUN NROM(R)技术来开发和制造闪存卡。
    
      对此,中芯国际首席运营官Marco Mora表示:“中芯国际已经认识到闪存卡市场将成为公司未来成功的一大重要推动因素。现在,我们与赛芬展开了第二次协议,我们很高兴能够利用赛芬的高级存储技术推出闪存卡。我们坚信,赛芬领先的存储技术以及我们的生产能力相结合后,将一定能够向市场推出极具竞争力的产品。”
    
     

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(编辑 甘心)

    

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