海力士开发出用于高速小型移动终端的1Gb DRAM

海力士开发出用于高速小型移动终端的1Gb DRAM

     韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit 移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来, 对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩大。此次的产品不仅具有较大的数据容量——1Gbit，还在现有的相同容量产品中实现了最小尺寸，数据处理速度也为高速。
    
     该产品使用66nm工艺技术，缩小了芯片尺寸，工作频率为200MHz，通过32个输入输出引脚最大可实现1.6GB/秒的数据处理速度。还实现了耗电的最小化。另外，该产品还配备有该公司研发的“One Chip Solution”功能，能够根据应用对象的产品指标来改变数据处理速度及方式。