TDK MLC NAND闪存控制IC 10月量产

TDK MLC NAND闪存控制IC 10月量产

     TDK将涉足基于多级单元（MLC：Multi-level Cell）技术的NAND闪存的控制器IC业务。首先将于2007年10月量产支持多级单元和单级单元（SLC：Single-level Cell）两种方式的控制器IC“GBDriver RA7”。
    
     TDK是日本国内唯一一家将闪存用控制器IC作为标准产品销售的厂商，此前只生产支持二值单元的产品。支持二值单元的产品主要面向产业设备等可靠性要求较高的用途。今后，还将面向更重视价格的民用设备市场推出支持MLC的产品。具体是，预计配备于数码摄像机、数码相机以及MP3等产品。
    
     GBDriver RA7可以通过一枚芯片来控制4KB/页面结构的NAND闪存。如果是MLC方式的NAND闪存，可实现2GB～32GB的容量，而SLC方式的NAND闪存则可实现1GB～16GB的容量。突发式(Burst)写入速度为23MB/秒，读取速度为24MB/秒。错误修正采用的是8位/扇区的ECC。
    
     此前，海外厂商此前也投产了同时支持SLC和MLC的控制器IC。TDK表示，“广泛应用于数字家电的MLC方式在日本国内有很多用户。我们在国内拥有生产和开发团队，因此在支持体制上占有优势”。
    
     新IC的封装方面，除了与原产品相同的128引脚的TQFP（16mm×16mm）外，还备有100引脚的VFBGA（8mm×8mm及6mm×6mm）。样品价格为2000日元（约合17.5美元/132人民币）。