Samsung開發出60奈米級2Gb DDR2 DRAM

Samsung開發出60奈米級2Gb DDR2 DRAM

     Samsung日前表示，已開發出採用60奈米級製程之2Gb DDR2 DRAM，並取得Intel認證，將於2007年底起導入量產。Samsung於2007年3月亦領先全球量產60奈米級1Gb DDR2 DRAM，包含之前早已進入量產的512Mb DRAM，Samsung將在2007年底將DDR2 DRAM的全產品線均轉換為60奈米製程。
    
     據了解，此次開發出的60奈米級2Gb DDR2 DRAM的最快速度可達800Mbps，較2004年所開發的80奈米級2Gb DRAM的667Mbps，成長20%，生產力也將提高40%以上。此外，該產品並提供可提高8GB伺服器用模組(FBDIMM, RDIMM)，以及搭載在工作站、桌上型PC、筆記型電腦的4GB模組(UDIMM, SODIMM)等既有備用記憶體2倍容量的解決方案，將可持續擴大記憶體容量。
    
     Samsung表示，2007下半年起DRAM市場主力將由512Mb轉換為1Gb，而Samsung也將透過此次推出的60奈米級2Gb DRAM，以高附加價值、高性能產品持續主導DRAM市場。
    
     根據Gartner Dataquest的預估，全球2Gb DRAM市場將於2007年成形，在2011年市場規模達140億美元，佔整體DRAM市場的47%。