英特尔和美光推出多层单元NAND快闪记忆体样品

英特尔和美光推出多层单元NAND快闪记忆体样品

           根据美国商业新闻社 (Business Wire)报导，英特尔（Intel )和美光科技（Micron Technology）（纽约证券交易所：MU）今天宣布将共同推出行业领先的50纳米（nm）多层单元（MLC）NAND快闪记忆体样品。该产品由两家公司的NAND快闪记忆体联合企业IM快闪记忆体科技公司（IMFlash Technologies）生产。
       这一多层单元NAND快闪记忆体新元件的特色是具有世界级的晶片及单元尺寸，理想地适用于当前日益变小以及效率越来越高的计算和消费电子设备。16吉比特（Gb）晶片密度的50纳米多层单元技术样品是对先前发布的50纳米单层单元（SLC）产品补充。4吉比特晶片密度的单层单元产品已于今天供货。
       该多层单元NAND新产品凝聚了一年的创新举措。期间英特尔和美光公司积极地改进了最新的300公厘（mm）快闪记忆体生产工厂网路，并一直开发亚40纳米（sub- 40nm）NAND快闪记忆体产品。
       美光公司首席运营官Mark Durcan说：“美光公司和英特尔只用了一年的时间就开发出行业领先的NAND快闪记忆体多层单元产品，并积极地改进了目前我们向客户提供的的工厂网路。我们为同英特尔一道取得的成就感到自豪，我们也期望在来年实现更多的里程碑。”
       英特尔NAND产品事业部副总裁兼总经理RandyWilhelm说：“我们同美光公司的联合企业第一年在开发行业领先体系结构方面所取得的进步超出了我们的预料。去年7月，英特尔和美光公司第一次在业内引入了50纳米单层单元NAND样品。业内最先进的50纳米多层单元体系结构的开发进一步证明了这一开发和生产关系的实力。”
       IM快闪记忆体联合企业除了通过美光公司设在爱达荷州博伊西、弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂生产NAND快闪记忆体外，自2月开始还在犹他州Lehi的300公厘工厂进行晶片的生产。该300公厘工厂完全归联合企业所有。另外，公司正计画同它们最近公布的新加坡合作商一道将在新加坡设立新的IM快闪记忆体生产工厂。