英特尔和美光合并NAND业务 将在新加坡建设300mm工厂

英特尔和美光合并NAND业务 将在新加坡建设300mm工厂

    英特尔和美光科技宣布，计划在新加坡建设NAND闪存工厂。将作为300mm晶圆工厂于07上半年开工建设。预定08下半年投产，将采用50nm工艺技术生产。该工厂将通过两公司成立的合资公司建设。

　　英特尔和美光于2006年1月成立了开发、生产NAND闪存的合资公司IM Flash Technologies。IM Flash Technologies 目前正在美光位于美国博伊西（Boise）的半导体工厂生产NAND闪存。另外，IM Flash Technologies 还以07年初开始量产为目标，正在美国弗吉尼亚州马纳萨斯市（Manassas）和犹他州Lehi市两地启动300mm晶圆工厂。对IM Flash Technologies来说，此次宣布将建设的新加坡工厂将成为其第4个生产基地。

　　此外，两公司还表示已于2006年7月在业界率先开始供应利用50nm工艺技术生产的4Gbit NAND闪存样品。至于50nm工艺NAND闪存，则预定从2007年开始生产包括多值闪存在内的多种产品群。