Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET SiHx22N60S
来源:中电网 作者:—— 时间:2010-02-01 09:15
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET?技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的电压等级,在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低RDS(on)意味着更低的导通损耗,从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。
除低导通电阻之外,这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值(FOM),这些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。
为可靠起见,这些器件均进行了完整的雪崩测试,具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。
与前一代600V功率MOSFET相比,新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
新款Super Junction FET MOSFET现可提供样品,将于2010年第一季度实现量产,大宗订货的供货周期为八周至十周。
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