集成的半导体光电智能探测器SOC研究
来源:中电网 作者:—— 时间:2010-05-06 11:04
当φREAD由低电平转变为高电平时,在分支A的采样电容上储存好的一对差分信号,将被连接至输出数据总线Video1与Video2,并被移位寄存器扫描输出,同时,分支B将进行对信号的积分和采样。
在实践上,我们根据图2、图3所示的原理,使用开关电容技术实现了低噪声、高读出速度的智能探测器电路设计。由于篇幅所限,具体电路结构本文不再赘述。具体的测试结果见本文第5部分。
4 工艺设计
本电路采用1μm准双阱硅栅CMOS工艺制造,探测器部分基本结构如图4所示。我们力求在标准CMOS工艺的基础上做少量修改,保证在不影响正常工艺步骤的情况下,加入少量几个工艺步骤,在同一芯片上,制备出高性能光电二极管。与常规CMOS工艺相比,主要有如下特殊之处:
(1)P阱版
在电路区,与常规的P阱版没有差异。对光电二极管,本次P阱注入形成保护环和接触区。
(2)N阱版
在标准CMOS工艺中,不必进行这次光刻,只要对整个硅片进行大面积注入即可。但是,对于智能探测器工艺,由于存在光电二极管区,因此不能进行这样处理。我们在P阱注入后再加入一块N阱版,挡住光电二极管区,只对电路区进行注入,这样,就达到了分别优化的目的。
(3)P阱场注和有源区注入
这次光刻是利用常规CMOS工艺的P阱场注形成光电二极管的有源区注入,该步骤有待于优化。
(4)P+注入
如图4所示,本次注入在形成电路的P+区的同时,还对光电二极管的接触区进行了P+注入,以形成良好的接触。
(5)孔版
常规CMOS工艺一次即可刻出接触孔,但对光电二极管,不但要刻接触孔,而且还要刻掉光电二极管光敏面上的LPCVD层,因此,如3.1节所述,我们使用“孔版”和“孔和有源区版”来达到此目的。第一次光刻接触孔和光电二极管的有源区,腐蚀掉LPCVD层,第二次光刻所有的接触孔,腐蚀掉氮化硅层和二氧化硅层。
(6)钝化版
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