三星推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

三星推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。

与30纳米级MLC NAND相比，三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s)。通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级NAND相比，三星电子还获得安全可靠的性能。

用20纳米级的存储器卡将提供4GB-64GB的密度。三星电子及时推出了其高性能优质NAND，支持高密度智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡的不断增长的存储器要求。