KLA-TENCOR推出新的VISEDGETM CV300R-EP系统

KLA-TENCOR推出新的VISEDGETM CV300R-EP系统

专为半导体和相关产业提供工艺控制与成品率管理的KLA-Tencor Corporation宣布，其业界领先的VisEdge产品系列又添新员：VisEdge CV300R-EP边缘度量与检测工具。VisEdge CV300R-EP推出了两项边缘度量功能，旨在帮助半导体厂识别晶圆边缘轮廓形状和放置在晶圆上的薄膜边缘可能影响成品率的不规则外形。这些新的度量功能让当前的VisEdge系统增添了边缘缺陷检测与检查功能，使系统VisEdge CV300R-EP成为帮助半导体工厂改善与晶圆边缘有关的成品率问题的一个综合工具。

半导体厂印制芯片时要尽可能靠近硅片边缘，力求从每个晶圆上获得数量最多的芯片。然而，晶圆边缘的成品率通常最低，为了解决边缘成品率问题，半导体工厂需要控制每个薄膜边缘长到何处——是在晶圆的平坦前表面，还是超过平坦表面进入倾斜坡面——且要在其间加工期间让每个薄膜的周长与其前后放置的薄膜周长相匹配。VisEdge CV300REP提供了晶圆边缘轮廓的校准测量法，包括薄膜边缘可能长到的斜面坡度。此外，VisEdge CV300R-EP纳入图形成像边缘芯片的数据，在制程中对薄膜边缘及其与晶圆本身或与相邻薄膜的同心性进行追踪。
 
VisEdge CV300R-EP检测与度量系统的新算法和新边缘轮廓模块实现了以下功能：
 在晶圆边缘附近和顶部斜区（包括图形成像区域）同时进行边缘缺陷检测和多层边缘度量，以提供更大的覆盖范围和更精确的薄膜边缘测定
 在晶圆边缘附近、顶部与底部斜面及顶点区域，通过多种接受方式（反射、散射、相位）对缺陷进行显像与分类
 搭载高分辨率检查显像与分类
 对所有十六个SEMI标准参数进行校准边缘轮廓测量，在半导体工厂实现裸晶圆的进货质量控制
 边缘轮廓反馈至度量算法，以对斜面的薄膜层积高度进行精确测量
 在低对比度薄膜上的性能较前代产品更强，且能够对电解质薄膜中的埋藏边缘进行侦测
 光度头可以旋转，杜绝了盲点和缝补错误